特許
J-GLOBAL ID：200903035685658503
縦型MOSトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-013136
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204175
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】縦型MOSトランジスタのBVDSS ,L負荷耐量を確保しつつオン抵抗を小さくすること。【構成】P+ 型領域4B(バックゲート)の底面をP型領域5Bより浅くしてかつN型ドレイン領域と接触させる。4Bの底面が5Bより突き出すことによるベース・ドレイン間リーチスルー電圧の低下を防ぐ。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面部に形成された第1導電型ドレイン領域と、前記第1導電型ドレイン領域の表面部に形成された、第1の第2導電型領域および前記第1の第2導電型領域の底面の少なくとも一部を除いてこれを取り囲んで設けられた第2の第2導電型領域であってその不純物濃度が前記第1の第2導電型領域より低いものでなるベース領域と、前記ベース領域の表面部で前記第1,第2の第2導電型領域の境界とその近傍にかけて形成された第1導電型ソース領域と、前記ドレイン領域とソース領域との間の前記第2の第2導電型領域の表面をゲート絶縁膜を介して被覆するゲート電極と、前記ソース領域および第1の第2導電型領域に接触するソース電極とを含むことを特徴とする縦型MOSトランジスタ。
引用特許：
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