特許

J-GLOBAL ID：200903035689498993

回路内蔵受光素子の製造方法

発明者： 山本 元彦 ,  久保 勝 ,  野崎 義明 ,  福永 直樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000684
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275669
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 回路内蔵受光素子の応答速度を高速にする。【構成】 半導体基板1の上に積層するP型埋め込み拡散層13を形成するとき、不純物イオン注入量dを【数9】3×1012≦d≦1×1015 (単位ions/cm2 )とし、高比抵抗エピタキシャル層8および10の膜厚tと信号処理回路の入力インピーダンスZinとの関係を【数10】10≦t≦0.01×Zin+15 (単位μm)とする。

請求項（抜粋）：

1枚の半導体基板上に形成した受光素子と信号処理回路とよりなり、受光素子は第1導電型の半導体基板と、この基板上に埋込んだ第2導電型の半導体層と、その上に積層した第1の第2導電型の高比抵抗半導体層と、その上に積層した第2の第2導電型の高比抵抗半導体層と、この第2導電型高比抵抗半導体層の表面から拡散した第1導電型の半導体層を有し、信号処理回路は第1導電型の半導体基板と、その上に積層した任意の導電型の半導体層と、この層に埋込んだ第2導電型の半導体層と、その上に積層した第2導電型の低比抵抗半導体層を有している回路内蔵受光素子の製造方法において、信号処理回路の第1導電型半導体基板上に積層する半導体層をイオン注入により形成するときその不純物イオン注入量dを【数1】2×1013≦d≦1×1015 (単位ions/cm2 )とすることを特徴とする回路内蔵受光素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/74 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 Z ,  H01L 21/265 W ,  H01L 31/10 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-238664
  
• 特開昭63-219151
  
• 特開平3-159151