特許
J-GLOBAL ID：200903035689595484
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-207302
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321229
出願日： 1996年08月06日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 正確な分圧比を有し、抵抗値の温度係数の小さい高精度のブリーダー抵抗回路、及び、このようなブリーダー抵抗回路を用いた高精度で温度係数の小さい半導体装置例えばボルテージディテクタ、ボルテージレギュレータ等の半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 薄膜抵抗体を使用したブリーダー抵抗回路の、薄膜抵抗体上の導電体及び薄膜抵抗体下部の導電体の電位を各薄膜抵抗体の電位と略等しくなるようにしたこと。および、薄膜抵抗体にポリシリコンを用いる場合、ポリシリコン薄膜抵抗体の膜厚を薄くしたことにより抵抗値バラツキを抑え、かつ抵抗値の温度依存性を小さくしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第一の導電体の上に第一の絶縁膜を介して複数の薄膜抵抗体を構成したブリーダー抵抗回路を有する半導体装置において、前記薄膜抵抗体の下部の第一の導電体と前記薄膜抵抗体とを実質的に同電位にすることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/04 P
, H01L 27/04 F
