特許

J-GLOBAL ID：200903035689600046

半導体装置の製造方法

発明者： 木村 真美 ,  菊地 吉男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300578
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136075
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体基板に浅いイオン注入層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、浅いイオン注入層を形成するため非晶質層を形成した場合でも、加熱処理による増速拡散を抑制して、浅い導電型領域層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板4に中性粒子のイオン注入を行って、前記半導体基板4の表層に非晶質層5を形成する工程と、前記非晶質層5を介して前記半導体基板4に導電型不純物粒子をイオン注入し、イオン注入層6aを形成する工程と、前記非晶質層5上にキャップ層7を形成した後、加熱処理して前記イオン注入層6aの導電型不純物粒子を活性化する又は活性化するとともに拡散し、導電型領域層6を形成する工程とを含み構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(4)に中性粒子のイオン注入を行って、前記半導体基板(4)の表層に非晶質層(5)を形成する工程と、前記非晶質層(5)を介して前記半導体基板(4)に導電型不純物粒子をイオン注入し、イオン注入層(6a)を形成する工程と、前記非晶質層(5)上にキャップ層(7)を形成した後、加熱処理して前記イオン注入層(6a)の導電型不純物粒子を活性化する又は活性化するとともに拡散し、導電型領域層(6)を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 H