特許

J-GLOBAL ID：200903035691066979

半導体装置の突起電極形成方法

発明者： 松村 和彦 ,  丹羽 正昭
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055777
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256258
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の外部電極と密着性が高く、接触抵抗値の低い突起電極を形成する。【解決手段】 Al電極1上の自然酸化膜を除去し洗浄を行った後、80°Cに保持したNiを含有するアルカリ性の溶液中に20秒浸漬することにより、Al電極1の表面に膜厚300〜500ÅのNi粒子膜8を形成する。洗浄を行った後、再度、同じ溶液中に20秒浸漬することにより、均一な大きさのNi粒子が隙間なく形成されたNi粒子膜9となる。洗浄を行った後、Ni粒子膜9上に、無電解めっき法によりNi膜6を形成しする。洗浄を行った後、Ni膜6上に、無電解めっき法によりAu膜7を形成する。均一な大きさのNi粒子が隙間なく形成されたNi粒子膜9とAl電極1との間に隙間がないため、Au膜7の形成時にAl電極1とNi粒子膜9の界面に無電解Auめっき液の侵入がなく、Al電極1表面に密着性が高く、接触抵抗値の低い突起電極を形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の外部電極上に、無電解Niめっきの前処理としてNi粒子膜を形成した後、無電解めっき法によってNi膜と1種類以上の他の金属膜とを積層することにより突起電極を形成する半導体装置の突起電極形成方法であって、前記Ni粒子膜の形成工程は、前記外部電極上に離散したNi粒子を形成する工程と洗浄工程とを2回以上繰り返すことを特徴とする半導体装置の突起電極形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  C23C 18/32 ,  H01L 21/288

FI (4件)：

H01L 21/92 604 M ,  C23C 18/32 ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/92 604 B