特許

J-GLOBAL ID：200903035693560822

半導体装置およびその測定方法、ならびに半導体装置の製造方法

発明者： 朝山 匡一郎 ,  三井 泰裕 ,  荒川 史子 ,  蒲原 史朗 ,  大路 譲
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013028
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217258
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 スクライブ領域に多数配置されたTEGを測定することにより、半導体装置の歩留まりを向上することのできる技術を提供する。【解決手段】 TEGの各々の端子に接続される第1電極パッドBP1を、半導体基板上の最上層配線で構成された一辺が約0.5μm以下の微小な矩形の孤立パターンとすることにより、第1スクライブ領域SL1に多数のTEGを敷き詰め、第1電極パッドBP1に、先端の曲率半径が0.05μm〜0.8μm程度のナノプローブを接触させることによって、TEGの特性評価または不良解析を行う。

請求項（抜粋）：

最上層配線で構成される一辺が0.5μm以下の矩形の第1電極パッドを備えた複数のTEGが、スクライブ領域に配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (8件)：

H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 E ,  H01L 21/28 C ,  G01R 31/28 U ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/88 K ,  H01L 27/04 E ,  H01L 27/04 T

Fターム (89件)：

2G132AA00 ,  2G132AF01 ,  2G132AK02 ,  2G132AK07 ,  4M104BB01 ,  4M104BB17 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104FF37 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG13 ,  4M104GG19 ,  4M104HH20 ,  4M106AA01 ,  4M106AB01 ,  4M106AB15 ,  4M106AC05 ,  4M106AD02 ,  4M106AD06 ,  4M106AD09 ,  4M106BA01 ,  4M106BA03 ,  4M106DD03 ,  4M106DH50 ,  4M106DH55 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH26 ,  5F033HH27 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK26 ,  5F033KK27 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV07 ,  5F033VV09 ,  5F033VV10 ,  5F033WW01 ,  5F033XX37 ,  5F038BE05 ,  5F038CA13 ,  5F038DT04 ,  5F038DT12 ,  5F038DT15 ,  5F038EZ20