特許
J-GLOBAL ID：200903035702661653
半導体ウエハボードおよびそれを用いた拡散・CVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300032
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136071
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェハの周辺温度を正確に制御し、特に拡散・CVD処理における熱処理・成膜量の均一性を向上できる半導体ウェハボードおよびそれを用いた拡散・CVD装置を提供する。【構成】 縦型拡散・CVD装置に収納される半導体ウェハボード1とされ、半導体ウェハ2を支持する複数のウェハ支持部3を備え、これらのウェハ支持部3の内部に中空部4が設けられ、この中空部4に熱電対5が設置されている。また熱電対5の配線は、キャップ6を通じてチューブ7によって保護され、外部に引き出されている。そして、熱電対5によって測定された温度に基づいて半導体ウェハ2の周辺部の温度が所定の適正値に保持され、これによって半導体ウェハに対する拡散・CVD処理が適正温度で行われる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハを支持する単数または複数のウェハ支持部を備えた半導体ウェハボードであって、前記ウェハ支持部の内部に中空部を設け、該中空部に温度測定装置を設置し、該温度測定装置により前記半導体ウェハの周辺温度を測定することを特徴とする半導体ウェハボード。
IPC (3件)：
H01L 21/22
, H01L 21/205
, H01L 21/31
