特許
J-GLOBAL ID：200903035712040266

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者：
上田 哲三

上田 哲三 について

, 
油利 正昭

油利 正昭 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-176841
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041490
出願日： 2005年06月16日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 窒化物半導体層を用いた青紫色半導体レーザ素子において、低閾値電流かつ高出力動作を可能とする高寿命の半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 GaN基板1上にn型GaN層2、n型AlGaNクラッド層3、第1のn型GaNガイド層4及びp型AlGaNブロック層6(電流阻止層)が順次形成され、さらにp型AlGaNブロック層6の一部にストライプ状の開口部が形成されており、この開口部を覆う形で第2のn型GaNガイド層5が形成され、その上にInGaN多重量子井戸活性層7、アンドープGaNガイド層8、p型AlGaN電子障壁層9、p型AlGaNクラッド層10及びp型GaNコンタクト層11が順次形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の上に形成された、開口部が設けられたp型または半絶縁性の電流阻止層と、 少なくとも前記開口部内に形成された、n型の半導体層と、 前記電流阻止層の上に形成された発光層とを備える ことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/223
FI (2件)：
H01S5/343 610 ,  H01S5/223
Fターム (18件)：
5F173AA07 ,  5F173AA44 ,  5F173AA47 ,  5F173AA48 ,  5F173AF58 ,  5F173AF98 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ42 ,  5F173AP05 ,  5F173AP19 ,  5F173AP33 ,  5F173AP57 ,  5F173AR15 ,  5F173AR33 ,  5F173AR52 ,  5F173AR82 ,  5F173AR84
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平4-370993号公報
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-235011   出願人：ローム株式会社
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-183002   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (2件)

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