有機トランジスタ用電極、有機トランジスタ、及び半導体装置、

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-117418
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332613
出願日： 2006年04月21日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】有機トランジスタの電極の一部として導電性の材料を用いた場合、その導電性の材料の仕事関数に有機トランジスタの特性が支配されない構成を有する有機トランジスタを提供することを課題とする。さらに、キャリア移動度が良好な有機トランジスタを提供すること、また、耐久性に優れた有機トランジスタを提供することを課題とする。【解決手段】有機電界効果トランジスタ用の電極、すなわち有機電界効果トランジスタにおけるソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の一部に、有機化合物と無機化合物とを含む複合層を用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機トランジスタのソース電極又はドレイン電極に用いられる電極であり、有機化合物と無機化合物とを含む複合層を有し、前記有機化合物が下記一般式(1)で表されることを特徴とする有機トランジスタ用電極。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/50

FI (8件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L29/28 100A , H01L29/28 250H , H05B33/14 A

Fターム (75件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107EE04 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF01 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104HH08 , 4M104HH20 , 5F110AA01 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK18 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (2件)

有機薄膜電界効果トランジスターおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-092708 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-015057 出願人：三菱化学株式会社

審査官引用 (5件)

電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-192841 出願人：大阪瓦斯株式会社
有機エレクトロルミネッセント素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-075834 出願人：城戸淳二, 株式会社アイメス
トランジスタおよびそれを用いた表示素子、ならびに液晶表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-277956 出願人：シャープ株式会社

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