特許
J-GLOBAL ID：200903035720317340

光半導体素子および光半導体素子の製造方法

発明者：
松山 隆之

松山 隆之 について


出願人/特許権者：
東芝電子エンジニアリング株式会社

東芝電子エンジニアリング株式会社 について

, 
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-072979
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359437
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】 低いしきい値電流、単一横モード発振の容易性などの特長を有し、かつ素子の寄生容量が低減された高速直接変調が可能な光半導体素子を提供する。【解決手段】 この光半導体素子は、第1導電型基板と、前記第1導電型基板上に形成されたストライプ状の活性層と、前記活性層の周囲に形成された該活性層より大きなバンドギャップを有するメサ状の埋め込み層と、前記埋め込み層を電気的に分離する溝とを備え、前記埋め込み層の断面が、上底部が下底部より長い逆台形状を有する。
請求項（抜粋）：
第1導電型基板と、前記第1導電型基板上に形成されたストライプ状の活性層と、前記活性層の周囲に形成された該活性層より大きなバンドギャップを有するメサ状の埋め込み層と、前記埋め込み層を電気的に分離する溝とを備え、前記埋め込み層の断面が、上底部が下底部より長い逆台形状を有することを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/227 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01S 5/227 ,  H01S 5/343
Fターム (12件)：
5F073AA11 ,  5F073AA26 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA02 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA14 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (4件)
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