特許
J-GLOBAL ID：200903035722399173
プラズマ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-140896
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343766
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 C/F比が0.5以上であるフルオロカーボンガスを用いてドライエッチングを行なう場合の選択性を向上させる。【解決手段】 プラズマ処理装置の反応室内に、シリコン酸化膜が形成されていると共に該シリコン酸化膜の上にレジスト膜が形成されている半導体基板を設置した後、反応室内に、C/F比が0.5以上であるフルオロカーボンガスを導入する。この場合、τ=P×V/Q(但し、τは反応室におけるガスの滞在時間(単位:sec )であり、Pはガスの圧力(単位:Pa)であり、Vは反応室の容積(単位:L )であり、Qはガスの流量(単位:Pa・L/sec )である。)の関係式を用いて、滞在時間τが0.1(sec )よりも小さく且つ1(sec )以上になるように、ガス流量を制御する。次に、フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成して、レジスト膜をマスクにしてシリコン酸化膜に対してプラズマエッチングを行なう。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理装置の反応室の内部に、表面にシリコン酸化膜が形成された基板を設置する工程と、前記反応室の内部に、炭素及びフッ素を含み且つフッ素に対する炭素の比率が0.5以上であるフルオロカーボンガスを導入する工程と、前記フルオロカーボンガスからなるプラズマを生成し、該プラズマを用いて前記シリコン酸化膜に対してエッチングを行なう工程とを備え、前記フルオロカーボンガスの前記反応室における滞在時間τ=P×V/Q(但し、Pは前記フルオロカーボンガスの圧力(単位:Pa)であり、Vは前記反応室の容積(単位:L )であり、Qは前記フルオロカーボンガスの流量(単位:Pa・L/sec )である。)を0.1(sec) よりも大きく且つ1(sec) 以下に制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
Fターム (11件)：
5F004AA02
, 5F004AA05
, 5F004BA20
, 5F004BB18
, 5F004BC02
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA03
, 5F004DB03
