集積回路及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：後藤洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188545
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164815
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】水素が金属酸化物の方向に拡散することを防止する。【解決手段】集積回路において、それぞれ、下部電極、金属酸化物の薄膜、上部電極、下層のバリア付着層、水素バリア層及び上層のバリア付着層を有する薄膜の積層は、自己整合された水素バリア層で覆われたメモリーコンデンサーを形成するためにパターンニングされる。好ましくは、上部及び下部電極はプラチナを有し、金属酸化物材料は強誘電体層状超格子材料を有し、上部及び下部バリア付着層はチタンを有し、水素バリア層は窒化チタンを有する。水素バリア層は水素の拡散を防止し、これにより、金属酸化物の水素劣化を防止する。上部のバリア付着層の一部分は、層の電気導電性を増加するために除去される。メモリーコンデンサーは、強誘電体不揮発性メモリーであるのが好ましい。層状超格子材料は、ストロンチウム・ビスマス・タンタル酸塩あるいはストロンチウム・ビスマス・タンタル・ニオブ酸塩を含むのが好ましい。

請求項（抜粋）：

強誘電体集積回路を製造する方法において、金属酸化物材料の薄膜を含む集積回路部分を形成し、前記金属酸化物材料の薄膜の直接上に、第1のバリア付着層を形成し、前記第1のバリア付着層上に、水素バリア層を形成し、前記水素バリア層上に、頂部表面を有する第2のバリア付着層を形成することを特徴とする強誘電体集積回路の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Fターム (27件)：

5F001AA94 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038AC18 , 5F038CD18 , 5F038EZ14 , 5F038EZ16 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F083FR02 , 5F083GA25 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA16 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083PR13 , 5F083PR18 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR34

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