特許
J-GLOBAL ID：200903035725701644
X線分析装置及びこれを用いた半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-095144
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291152
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、ガスソ-ス原料とし10-3Torr以上の圧力下で成膜するMOCVD(Metal Organic Chemichal Vapor Deposition)やALE(Atomic Layer Epitaxy)において基板面内の局所領域における膜成長過程を原子層オ-ダで観察することである。【構成】 MOCVD装置において線源1から出射されたX線を集光ミラ-3を用いて基板6面上に全反射臨界角付近の斜入射角で照射する。この時、得られた基板6面からのX線の信号をX線検出器5を用いて検出する。【効果】 本発明を用いれば10-3Torr以上の圧力においても基板面内の成長膜の状態を高い横分解能でモニタできるので、これを成長条件に反映させてより適切な成長プロセス条件を決定できる。
請求項（抜粋）：
X線を基板に照射して基板表面の結晶構造を観察するX線分析装置において、X線を集光する少なくとも一つの光学素子を有するX線分析装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, G01N 23/223
, H01L 21/203
