特許

J-GLOBAL ID：200903035727579471

化合物半導体用オーム接触の製造方法

発明者： ヨツヘン・ゲルネル
出願人/特許権者： テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
代理人 (1件)： 中平 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061459
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263375
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【構成】 n形III-V族化合物半導体上にAuGeNi層が形成され、AuGeNi層の厚さが50〜200nmであり、AuGeNi層中のゲルマニウム濃度もニツケル濃度も1重量%未満である。AuGeNi層上には250〜1000nmの厚さのAu層が形成される。この層配列は合金化されるのではなく、430〜480°Cの温度で5〜20秒間、又は360〜400°Cの温度で40〜180分間熱処理される。【効果】 製造された金属半導体接触は接触抵抗が低く、合金化AuGeNi接触の不均一性が取り除かれている。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体のn形半導体層上にオーム接触を製造する方法であつて、まずn形半導体層上に金属接触層を形成し、該金属接触層上に金層を形成し、次いで得られた配列を熱処理工程で熱処理するものにおいて、前記金属接触層がAuGeNiからなり、そのゲルマニウム分とニツケル分がそれぞれ1重量%を超えないことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-244122
  
• 特開平3-173183
  
• 特開平3-135017