特許
J-GLOBAL ID：200903035733199214
イオン交換処理用マスク膜
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300297
公開番号（公開出願番号）：特開平5-139790
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：
【要約】【目的】 ガラス基板1にイオン交換法で光導波路等の光学素子10を作製する場合に、素子形成領域外でのイオン透過を防止するためにガラス表面に施すマスク膜2であって、高温の溶融塩に対して優れた耐蝕性を有しかつ安価な被膜構成を提供する。【構成】 マスク膜2を二層以上の積層膜とし、下地層2Aとしてスズ酸化物、アルミニウム、インジウム酸化物とスズ酸化物との混合体(ITO)のいずれかを用いる。特に厚みが0.1〜0.2μm程度のITO膜が好ましい。この下地層の上に表面層2Bとして、ニッケルリンを主体とする混合物又はニッケルほう素を主体とする混合物から成る被膜を設ける。この表面層2Bとしては特に無電解メッキによるNi-P混合膜が好適である。
請求項（抜粋）：
ガラス材料をその全表面のうちの特定領域においてイオン源と接触させることにより該領域でガラス中のイオンとイオン源中のイオンとを交換させるイオン交換処理で、前記特定領域外のガラス表面を被覆しておくために使用されるイオン透過防止用マスク膜であって、前記ガラス材料の表面上に形成される下地層が、スズ酸化物、アルミニウム、及びインジウム酸化物とスズ酸化物との混合体のうちから選ばれた1種又は2種以上の膜から成り、かつこの下地層上に形成される表面層が、ニッケルリンを主体とする混合物又はニッケルほう素を主体とする混合物から成ることを特徴とするイオン交換処理用マスク膜。
IPC (3件)：
C03C 21/00
, C03C 17/34
, G02B 3/00
