電流溶断型ヒューズアレイ、半導体記憶装置及び半導体記憶システム

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-400830
公開番号（公開出願番号）：特開2002-197884
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】ROMやヒューズ素子を備えていない半導体装置であっても、製造プロセスの増加によるコストの上昇やパターン占有面積の増加を抑制できる電流溶断型ヒューズアレイを提供することを目的としている。【解決手段】メタルヒューズF11〜FyxとダイオードD11〜Dyxとからなる情報記憶素子をアレイ状に配置し、上記メタルヒューズに選択的に電流を流すことにより溶断/非溶断に応じてデータを記憶する電流溶断型ヒューズアレイを形成してなることを特徴としている。金属配線の一部などの半導体装置が本来有する構成を利用して電流溶断型のメタルヒューズを形成でき、且つメタルヒューズをアレイ状に配置することで、メタルヒューズの電流溶断時に必要となるパッドや配線を共用できるため、少ないパッド数且つ小さいパターン占有面積で多ビットのデータ記憶が可能となる。

請求項（抜粋）：

電流を流すことにより溶断可能で、溶断/非溶断に応じてデータを記憶するヒューズ素子と、このヒューズ素子に接続されたダイオードとを有する情報記憶素子をアレイ状に配置してなることを特徴とする電流溶断型ヒューズアレイ。

IPC (5件)：

G11C 17/00 , G11C 7/00 311 , G11C 29/00 603 , G11C 29/00 , H01L 27/10 431

FI (5件)：

G11C 17/00 A , G11C 7/00 311 A , G11C 29/00 603 H , G11C 29/00 603 J , H01L 27/10 431

Fターム (17件)：

5B003AA06 , 5B003AB05 , 5B003AC01 , 5B003AC02 , 5B003AD01 , 5B003AE01 , 5F083CR12 , 5F083LA10 , 5F083ZA10 , 5L106AA08 , 5L106CC04 , 5L106CC08 , 5L106CC13 , 5L106CC17 , 5L106CC21 , 5L106CC32 , 5L106GG06

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