特許

J-GLOBAL ID：200903035738221463

多軸半導体センサ

発明者： 窪田 央一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-217119
公開番号（公開出願番号）：特開2003-028646
出願日： 2001年07月17日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：

【要約】【課題】 簡易な製造工程で、小型、且つ、精度の良い多軸の半導体センサを構成する。【解決手段】 一軸の半導体センサ10a〜10cを略直方体のセンサブロック12a〜12cに取り付け、複数のセンサブロック12a〜12cの角度固定面を互いに貼り合わせて固定することにより、多軸半導体センサを構成する。また、半導体センサを有するセンサブロックは同じものとし、センサブロックの幅と高さを等しくし、奥行きを幅の2倍とする。

請求項（抜粋）：

検出方向を有する半導体センサを有し、且つ、その法線方向と前記半導体センサの検出方向との間の角度が垂直あるいは平行に固定された少なくとも1つの角度固定面を有するセンサブロックを複数用いて構成した多軸半導体センサであって、前記複数のセンサブロックは各々他のセンサブロックと互いの角度固定面が突き合わされ、互いに隣接するセンサブロックを第1、第2のセンサブロックとする場合、第1のセンサブロックの半導体センサの検出方向は、前記第1および第2のセンサブロックが互いに突き合わされた角度固定面の法線方向と垂直、第2のセンサブロックの半導体センサの検出方向は、前記互いに突き合わされた角度固定面の法線方向と平行であることを特徴とする多軸半導体センサ。

IPC (5件)：

G01C 19/56 ,  G01P 9/00 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/18 ,  H01L 29/84

FI (5件)：

G01C 19/56 ,  G01P 9/00 B ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84 Z ,  G01P 15/00 K

Fターム (11件)：

2F105BB13 ,  2F105CC04 ,  2F105CD01 ,  2F105CD05 ,  2F105CD13 ,  2F105CD20 ,  4M112AA02 ,  4M112CA51 ,  4M112EA14 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01