特許
J-GLOBAL ID:200903035738238978

洗浄液および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-329075
公開番号(公開出願番号):特開平11-222600
出願日: 1998年11月19日
公開日(公表日): 1999年08月17日
要約:
【要約】【課題】 金属の除去効果が高く、コスト負担を軽減可能な洗浄液を提供することである。【解決手段】 クエン酸を含む水溶液にキレート剤を添加した液を基板洗浄液として用いる。クエン酸とキレート剤の相乗作用により高い金属除去効果が得られる。このため、低濃度のクエン酸水溶液に少量のキレート剤を添加した洗浄液で従来の洗浄液と同等以上の金属もしくは金属化合物除去効果を得ることができる。特にキレート剤として、エチリデンジホスホン酸、メチレンホスホン酸、およびメチルジホスホン酸のいずれかであれば上記相乗作用を顕著に発揮する。半導体装置の製造工程において、CMP工程後に行う基板洗浄工程において、この洗浄液を用いて基板を洗浄すれば、効果的に基板表面上に残る砥粒、砥液、および被研磨材を効果的に除去できる。
請求項(抜粋):
クエン酸を含む水溶液にキレート剤が添加されていることを特徴とする洗浄液。
IPC (4件):
C11D 7/60 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/36 ,  H01L 21/304 647
FI (4件):
C11D 7/60 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/36 ,  H01L 21/304 647 A

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