特許
J-GLOBAL ID：200903035739532578
半導体製造装置および基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331573
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162946
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 プラズマを用いた処理中に発生する異物の基板への付着を抑制する。【解決手段】 下部電極4と上部電極5との間に高周波電力を印加し、プラズマ11を生成して半導体ウェハ9の表面を処理する半導体製造装置において、シース14の表面に浮遊している負に帯電した異物15を、下部電極4と上部電極5との間に挟まれた領域において上方向に発散している磁力線Bを発生し、磁力線Bに沿って異物15を半導体ウェハ9の上部領域外に移動して排除し、プラズマ11を停止しても異物15が半導体ウェハ9の表面に落下しないようにする。
請求項（抜粋）：
その内部を減圧状態に保持できる反応室と、前記反応室にガスを供給するガス供給手段と、前記反応室からガスを排気するガス排気手段と、前記反応室内に水平に設置された一対の電極と、前記電極に電力を供給する電源とを有し、前記ガス供給手段およびガス排気手段によって1気圧以下の圧力に維持された前記反応室内の前記ガスを前記電力で電離して前記一対の電極の間にプラズマを発生し、前記プラズマを用いて前記一対の電極の下部電極上に設置された基板の表面を処理する半導体製造装置であって、前記反応室の外部に磁石を有し、前記磁石により発生する磁力線が、前記一対の電極間に挟まれた領域において、前記基板の表面から上方向に発散していることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23C 14/02
, C23F 4/00
, H01L 21/205
H01L 21/302 B
, C23C 14/02 Z
, C23F 4/00 G
, H01L 21/205
