歪検出センサ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-321793
公開番号（公開出願番号）：特開平10-160610
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】ピエゾ抵抗素子などの感歪素子から構成されるセンサにおいて、経時変化のない安定した出力が得ることができ、圧力等の検出精度の向上化が可能な歪検出センサを実現する。【解決手段】感歪抵抗素子3a〜3d、ゲージ抵抗素子4a〜4d、温度抵抗素子5は絶縁膜を介して純アルミニュウム又はアルミニュウム-シリコンのシールド膜6a〜6d、7a〜7d、8で保護されている。シールド膜6a〜6d、7a〜7d、8は、これらと同等の材質からなるシールドネットワーク9で基板1上で電気的に接続されている。シールドネットワーク9は8角形のダイアフラム2の外周側であって、配線14の内周側で配線14に接触しない領域に8角形状形成されシールド膜6a〜6dを電気的に接続し、シールド膜6aと7a、6bと7b、6cと7c、6dと7dを、それぞれ互いに接続する。さらに、シールド膜8とシールド膜7bとをシールドネットワーク9が接続する。

請求項（抜粋）：

一つの基板上に複数の感歪素子が形成され、これら感歪素子のそれぞれの上面に絶縁膜が形成され、かつ、それぞれの絶縁膜の上面に導電性の薄膜が形成された歪検出センサにおいて、上記複数の感歪素子のそれぞれの上面に形成された導電性薄膜は、導電性の薄膜であるシールドネットワークにより互いに連結されていることを特徴とする歪検出センサ。

IPC (3件)：

G01L 9/04 101 , G01B 7/16 , G01L 1/22

FI (3件)：

G01L 9/04 101 , G01L 1/22 M , G01B 7/18 G

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