特許

J-GLOBAL ID：200903035748760630

薄膜トランジスタおよび液晶表示装置

発明者： 平山 秀雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006909
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199728
出願日： 1996年01月18日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 遮光特性の劣化および比抵抗の低下を防止した液晶表示装置を提供する。【解決手段】 ガラス基板1にゲート電極2、コンタクト電極3を形成する。コンタクト電極3の上方を除いてゲート絶縁層4,5を積層形成する。ゲート絶縁層5のゲート電極2の上方に能動層6を形成し、能動層6上にエッチングストッパ層7を形成する。エッチングストッパ層7の両側には低抵抗アモルファスシリコンの半導体膜8,9を形成する。ゲート絶縁層5上に、ITOの表示画素電極11をマトリクス状に配設する。ソース電極12およびドレイン電極13を形成し、薄膜トランジスタ14を構成する。薄膜トランジスタ14上に、窒化シリコン(SiNx )のパッシベーション膜15と、グラファイトおよびC60のフラーレンの遮光層16とを積層形成し、マトリクスアレイ基板17を構成する。

請求項（抜粋）：

能動層と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、遮光層とを具備した薄膜トランジスタにおいて、この遮光層は、非晶質炭素と結晶質炭素との混合物の薄膜であることを特徴とした薄膜トランジスタ。