特許
J-GLOBAL ID：200903035750003536
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-242236
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083859
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の実装精度が高く、しかも簡単な工程にて低コストの半導体装置を製造する方法を提供すること。【構成】 本発明は先ず平板状で絶縁性を備える基台1の半導体素子10の実装領域周辺に熱硬化型接着剤または紫外線照射硬化型接着剤を含む接着剤2を塗布したり、または実装面1a全体に分離接着層を設けた後、この接着剤2または分離接着層を介して基台1上にリードフレーム3を接着する。次にウインドフレーム4または樹脂ダム部の取り付け、半導体素子10の実装およびボンディングワイヤー5による配線を行い枠内へ樹脂を注入して半導体素子10とボンディングワイヤー5とを封止する半導体装置の製造方法である。
請求項（抜粋）：
平板状で絶縁性を備える基台に半導体素子を実装し、該半導体素子を樹脂にて封止する半導体装置の製造方法であって、先ず、前記基台における前記半導体素子の実装領域周辺に熱硬化型接着剤または紫外線照射硬化型接着剤を含む接着剤を塗布した後、該接着剤を介して該基台上にリードフレームを接着し、次に、前記リードフレーム上への枠材の取り付け、前記実装領域への前記半導体素子の実装および該半導体素子と該リードフレームとのボンディングワイヤーによる配線を行い、その後、前記枠材の枠内へ前記樹脂を注入して前記半導体素子と前記ボンディングワイヤーとを封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/02
, H01L 23/28
, H01L 27/14
