特許

J-GLOBAL ID：200903035751915679

半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにその製造装置

発明者： 鈴木 匡
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-282492
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125917
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置のゲート絶縁膜またはトンネル絶縁膜を安全かつ低コストに製造し、半導体集積回路装置の性能を向上する。【解決手段】 半導体基板1上に形成されたnチャネル形MISFETQnおよびpチャネル形MISFETQpを有するCMISFETにおいて、ゲート絶縁膜5を、酸素濃度が1〜100ppmに調整された酸素と窒素の混合ガスを原料ガスとした単一の熱処理工程によって形成する。熱処理条件は、800°C、30分とする。

請求項（抜粋）：

シリコンを主材料とする半導体基板の主面の活性領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板の主面に形成された第1および第2の不純物半導体領域とを含むMISFETを有する半導体集積回路装置であって、前記ゲート絶縁膜は、前記半導体基板の表面と原料ガスとの熱反応による単一の熱処理工程で形成されたシリコン酸窒化膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (9件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371