特許
J-GLOBAL ID：200903035753518200

高周波増幅器

発明者：
榎本 真悟

榎本 真悟 について

, 
立岡 一樹

立岡 一樹 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-294340
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134823
出願日： 2002年10月08日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】出力電力の大小に関係なく増幅器の線形性を劣化させることなく、かつ低出力時の動作電流を十分に低減することができる高周波増幅器を提供する。【解決手段】エミッタサイズの大きいバイポーラトランジスタ1とエミッタサイズの小さいバイポーラトランジスタ2の各ベースを、コンデンサ3、4によりRF的に接続し、電圧源16によりλ/4波長線路等のコレクタ電源供給回路15を通してバイポーラトランジスタ1とバイポーラトランジスタ2のコレクタにバイアス供給し、バイアス電源供給回路5、6がそれぞれ異なるバイポーラトランジスタにベース電位が等しくなるようバイアス供給し、入力整合回路7は50Ωに対しバイポーラトランジスタのインピーダンスを変換し、出力整合回路8は50Ω負荷に対し所望のパワーを取り出すようバイポーラトランジスタ出力側からみたインピーダンス設定し、外部制御回路9は高周波増幅器に要求される出力パワーの大小により、バイアス電源5、6をオンオフする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
バイポーラトランジスタを用いて構成し、入力された高周波の電力を前記バイポーラトランジスタにより増幅し、前記バイポーラトランジスタの出力側に接続した負荷回路を通じて出力する高周波増幅器において、前記バイポーラトランジスタとして、エミッタサイズの異なる複数のバイポーラトランジスタを用い、前記複数のバイポーラトランジスタの各コレクタを一つに接続し、各エミッタを接地し、各ベースを互いに直流的に分離した状態で接続し、前記各ベースごとに、当該バイポーラトランジスタと同一半導体チップまたは異なる半導体チップ上に形成され、当該ベースへのバイアス供給を個別にオンオフ制御するバイアス供給制御手段を備え、前記バイアス供給制御手段を、出力電力の大小に応じて前記バイアス供給をオンオフ制御するよう構成したことを特徴とする高周波増幅器。
IPC (2件)：
H03F1/02 ,  H03F3/19
FI (2件)：
H03F1/02 ,  H03F3/19
Fターム (34件)：
5J092AA01 ,  5J092AA51 ,  5J092CA36 ,  5J092FA10 ,  5J092GR09 ,  5J092HA02 ,  5J092HA07 ,  5J092HA19 ,  5J092HA25 ,  5J092HA29 ,  5J092KA12 ,  5J092KA29 ,  5J092KA47 ,  5J092MA21 ,  5J092SA13 ,  5J092TA02 ,  5J092VL02 ,  5J500AA01 ,  5J500AA51 ,  5J500AC36 ,  5J500AF10 ,  5J500AH02 ,  5J500AH07 ,  5J500AH19 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AK12 ,  5J500AK29 ,  5J500AK47 ,  5J500AM21 ,  5J500AS13 ,  5J500AT02 ,  5J500LV02 ,  5J500RG09
引用特許：
審査官引用 (10件)
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