特許

J-GLOBAL ID：200903035761197510

セラミック焼成基板用導体ペースト

発明者： 脇本 祐二 ,  横山 明典
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211501
公開番号（公開出願番号）：特開平7-062275
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年03月07日
要約：

【要約】【構成】 一般式AgxCu1-x(ただし、0.001≦x≦0.4、原子比)で表され、且つ粒子表面の銀濃度が平均の銀濃度よりも高く、粒子表面近傍で表面に向かって銀濃度が増加する領域を有する銅合金粉末100重量部に対して、ガラスフリット0.1〜30重量部、MnO2 粉末0.2〜2重量部およびCr2 O3 粉末0.3〜3重量部を有機ビヒクル中に分散してなる、Al2 O3 を含有するセラミック焼成基板用導体ペースト。【効果】 基板上に焼成された際、焼成膜の接着強度、特に熱エージング後の接着強度、およびはんだ濡れ性、導電性に優れたセラミック焼成基板用導体ペーストである。

請求項（抜粋）：

一般式Agx Cu1-x (ただし、0.001≦x≦0.4、原子比)で表され、且つ粒子表面の銀濃度が平均の銀濃度よりも高く、粒子表面近傍で表面に向かって銀濃度が増加する領域を有する銅合金粉末100重量部に対して、ガラスフリット0.1〜30重量部、MnO2 粉末0.2〜2重量部およびCr2 O3 粉末0.3〜3重量部を有機ビヒクル中に分散してなることを特徴とする、Al2 O3 を含有するセラミック焼成基板用導体ペースト。

IPC (6件)：

C09D 5/24 PQW ,  C08K 3/08 ,  C08K 3/22 KAE ,  C08K 3/40 KAH ,  C08L101/00 KAB ,  H01B 1/16