特許
J-GLOBAL ID：200903035762492982
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-165686
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082812
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 しきい値電圧の変動を防止し、サージ耐圧が高くできると共にパンチスルーの発生を防止できるようにする。【解決手段】 ベース領域3のうち、表面チャネル層5と接しない領域3bをB(ボロン)で形成し、表面チャネル層5と接する領域3aをAl(アルミニウム)で形成する。このように、拡散係数の小さいAlで領域3aを形成すれば、Bの拡散によるしきい値電圧の変動を防止できる。また、表面チャネル層5と接しない領域3bは、活性化率が高く、活性化エネルギーの小さいBで形成されるようにすることで、サージ耐量を向上できる。また、この領域3bを飛程の長いBで形成しているため、接合深さが容易に深くでき、パンチスルー発生を防止できる。
請求項（抜粋）：
単結晶炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板(1)の主表面上にこの半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)を形成する工程と、前記半導体層の表層部の所定領域において、該表層部から離間した位置に、第2導電型の第1のドーパントを含む所定深さの第1のベース領域(3b)を形成する工程と、前記半導体層の表層部の所定領域に、前記第1のベース領域と重なると共に前記半導体層の表面部で終端する第2導電型の前記第1のドーパントより拡散係数の小さい第2のドーパントを含む第2のベース領域(3a)を形成する工程と、前記第2のベース領域の上部に第2導電型の表面チャネル層(5)を形成する工程と、前記第2のベース領域の表層部の所定領域に前記表面チャネル層に接すると共に、前記第1のベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域(4)を形成する工程と、前記表面チャネル層上にゲート絶縁膜(7)を介してゲート電極(8)を形成する工程と、前記ベース領域及び前記ソース領域に接触するソース電極(10)を形成する工程と、前記半導体基板の裏面側にドレイン電極(11)を形成する工程と、を備えていることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 658 A
