特許
J-GLOBAL ID：200903035764133181
突起電極の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-165843
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013385
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェハーの電極に低コストでバンプを形成する。【構成】 半導体ウェハー11上に導電性樹脂層14を形成し電極13上に開口部を形成し導電性樹脂層14を電極にして電解鍍金によりバンプ17を形成する。【効果】 半導体ウェハーの電極に低コストでバンプを形成することができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハーの表面に導電性樹脂層を形成する工程、前記導電性樹脂層上に絶縁性樹脂を塗布する工程、半導体ウェハーの電極上の前記導電性樹脂層及び前記絶縁性樹脂に開口部を形成する工程、前記導電性樹脂層を電極とし電解鍍金を施し、前記開口部の内壁に鍍金物を成長させることにより前記電極上に金属突起を形成する工程、前記絶縁性樹脂及び導電性樹脂層を除去する工程とを備えたことを特徴とする突起電極の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 D
