特許
J-GLOBAL ID：200903035764983940
MgOターゲット及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-324059
公開番号（公開出願番号）：特開平10-158826
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：
【要約】【課題】 スパッタ法によるAC型PDPのMgO保護膜の成膜に好適な高純度・高密度MgOターゲットを提供する。【解決手段】 純度99.9%以上、相対密度99.0%以上の高純度・高密度MgO焼結体よりなる、スパッタ成膜速度600Å/min以上に対応可能なMgOターゲット。高純度MgO粉末に、電融MgO粉末10〜60重量%と平均粒径100nm以下のMgO微粉末1〜5重量%とバインダーを添加、混合して成形・脱脂した後、1250〜1350°Cで一次焼結し、次いで1500°C以上で二次焼結する。【効果】 MgO微粉末の配合及び二段焼結により、高純度・高密度MgO焼結体を製造できる。電融MgO粉末の配合により、結晶性の良好なMgO膜が成膜可能となる。良好な配向性、結晶性及び膜特性を有するMgO膜を、スパッタ法により高い成膜速度で成膜できる。
請求項（抜粋）：
MgO純度99.9%以上、相対密度99.0%以上のMgO焼結体よりなるMgOターゲットであって、スパッタ成膜速度600Å/min以上に対応可能なMgOターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 A
, C04B 35/04 Z
