特許
J-GLOBAL ID：200903035767405433
マイクロ波電界効果トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347223
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259190
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 非対称であり且つゲート電極のデポジション後に半導体層中の凹部の外の中空を介して調整可能なソースドレイン特性を備えている電界効果トランジスタの製造方法を提供することにある。【構成】 電力用トランジスタは、少なくとも二つの半導体層および二つのメタライゼーション、即ちソースメタライゼーションおよびドレインメタライゼーションをを有する。ドレイン凹部は、ゲート凹部を作成し、T状またはマッシュルームゲートをデポジションし、ゲートをマスクとして用いて誘電体を部分的にマスキングした後で作成される。従って、ドレイン側でのエッチングはソース側にはいかなるエッチングも引き起こさない。電力用トランジスタへ適用するにはVDSは高い。
請求項（抜粋）：
第1の層がトランジスタのチャネルを構成し、第2の層がドープされた接触層を構成する少なくとも二つの半導体材料層に支持されている少なくとも一つのゲートメタライゼーションおよび一つのドレインメタライゼーションからなるマイクロ波電界効果トランジスタの製造方法であって、ゲートメタライゼーションのデポジション前の前記の両層におけるゲート凹部と呼ばれる第1のトレンチのエッチングと、その次の前記メタライゼーションのデポジション後の第2のドレイン凹部のエッチングとを含む、マイクロ波電界効果トンジスタ製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
