特許

J-GLOBAL ID：200903035772273502

単結晶成長方法

発明者： 太田 潔 ,  古賀 和幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-277628
公開番号（公開出願番号）：特開平9-110584
出願日： 1995年10月25日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：

【要約】【課題】 結晶性のよい単結晶を成長する方法を提供することである。【解決手段】 保持部3にて保持される種結晶4上に単結晶を成長させる単結晶成長方法において、種結晶4と保持部3がこれら間に介在する炭化層5により機械的に結合された状態で該種結晶上に単結晶を成長する。

請求項（抜粋）：

保持部にて保持される種結晶上に単結晶を成長させる単結晶成長方法において、前記種結晶と前記保持部がこれら間に介在する炭化層により結合された状態で該種結晶上に単結晶を成長することを特徴とする単結晶成長方法。

IPC (3件)：

C30B 23/02 ,  C30B 29/36 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 23/02 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 33/00 A