バーティカル型バイポーラトランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-569451
公開番号（公開出願番号）：特表2002-527884
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2002年08月27日
要約：

【要約】本発明はバーティカル型バイポーラトランジスタ及びその製造方法に関する。本発明の課題は、できる限り簡単な製造技術を用いてトランジスタの高周波数特性が達成されるバーティカル型バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提案することであり、この製造技術は注入されたエピタキシー不含のコレクタ及び大面積に析出されたポリシリコン面を用いてかつエピタキシャルにより製造されたウェル領域なしで容易に慣用の「メインストリーム」-CMOSプロセスに組み込むことができる。この製造技術を簡素化し、同時に寄生的ラテラル及びバーティカルなコレクタ抵抗成分の減少に関してバーティカル型バイポーラトランジスタの高周波数パラメータを改善することは本発明の場合、自己整合するトランジスタ構造により特別な製造方法と関連して達成され、この特別な方法の場合に、活性ベースを環状に取り囲む高度にドーピングされた単結晶ベース接続領域がコレクタ接続部の領域内で反応性イオンエッチングによりその下方にある弱くドーピングされたコレクタの区域又はその一部と一緒に除去される。

請求項（抜粋）：

ベース接続領域に自己位置決めされたコレクタ接続部を有するバーティカル型バイポーラトランジスタにおいて、- ベース接続領域の内部部分領域の少なくとも1つが高度にドーピングされた単結晶半導体区域とその上に配置された高導電性金属ケイ化物とからなる、エミッタを環状に取り囲む狭い層の組合せの形で構成されており、その際、金属ケイ化物は、高度にドーピングされた単結晶半導体区域の周縁部に対して自己位置決めされた絶縁材料からなるカバー区域、いわゆるスペーサの下方にある著しく狭い周縁領域を除いて、前記の半導体区域の全表面を覆いかつ接続しており、- ベース接続領域の前記の単結晶の内部部分領域は、前記部分領域に対して自己位置決めされて配置された下層にあるコレクタ接続部の少なくとも1つの面と接しており、前記の部分領域は同様に、スペーサにより覆われた狭い周縁領域を除いた全面で高導電性金属ケイ化物で覆われかつ接続されていることを特徴とするバーティカル型バイポーラトランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 21/331 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8222 , H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01L 29/732 , H01L 29/737

FI (5件)：

H01L 21/28 301 T , H01L 29/72 S , H01L 29/72 H , H01L 27/06 321 B , H01L 27/06 101 U

Fターム (50件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB25 , 4M104CC01 , 4M104DD02 , 4M104GG06 , 4M104HH16 , 5F003BA97 , 5F003BB05 , 5F003BB07 , 5F003BB08 , 5F003BC05 , 5F003BC08 , 5F003BE07 , 5F003BE08 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BG10 , 5F003BH07 , 5F003BH93 , 5F003BJ15 , 5F003BM01 , 5F003BP21 , 5F003BP34 , 5F003BP93 , 5F003BS05 , 5F003BS06 , 5F048AA09 , 5F048AA10 , 5F048AC05 , 5F048BA14 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BC06 , 5F048BF06 , 5F048CA01 , 5F048CA13 , 5F048CA14 , 5F048CA15 , 5F048DA07 , 5F082BA26 , 5F082BA35 , 5F082BA36 , 5F082BA47 , 5F082BC01 , 5F082BC09 , 5F082DA01 , 5F082DA09 , 5F082DA10

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