特許
J-GLOBAL ID：200903035783548325
セラミック多層配線基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-238730
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087917
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】内蔵するビアが変形しても、このビアと導通する広域メタライズ層等と比較的薄肉のセラミック層を介して隣接する広域メタライズ層とが短絡しない多層配線基板を提供する。【解決手段】厚さが各々50μmのセラミック層2〜8の間に広域メタライズ層であるメタルプレーン層10,12と、配線パターン14を積層し、この配線パターン14の空隙16内を厚さ方向に貫通するビア18の上端をメタルプレーン層12と導通し、メタルプレーン層12とセラミック層4を介して隣接するメタルプレーン層10における上記ビア18の軸方向と交差する位置を含む付近に、該ビア18と略同心状の開口部11を形成したセラミック多層配線基板1。ビア18が焼成前の厚さ方向のプレスや焼成後の熱収縮差によって、その軸方向に沿って膨張又は収縮変形しても、上記開口部11を形成したことにより、メタルプレーン層10,12同士間の短絡を防止する。
請求項（抜粋）：
複数のセラミック層の間に広域メタライズ層と配線パターンとが形成されるセラミック多層配線基板であって、上記広域メタライズ層同士、又は配線パターン同士、或いは広域メタライズ層と配線パターンとの間を基板の厚さ方向に導通するビアと、上記ビアの少なくとも一端が導通する広域メタライズ層又は配線パターンにセラミック層を介して隣接する広域メタライズ層における上記ビアの軸方向と交差する位置を含んで上記広域メタライズ層に設けた開口部と、を有することを特徴とするセラミック多層配線基板。
FI (2件)：
H05K 3/46 H
, H05K 3/46 N
