特許
J-GLOBAL ID：200903035783771563
炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-228560
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097441
出願日： 1994年09月26日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】高温に耐え得る半導体材料よりなるSiCを用いた高耐圧化の可能なショットキーダイオードのショットキー電極が、高温でSiCと反応せず、また密着性が良好で剥離が起きないようにする。【構成】n形SiCの上にAl-Ti合金により、あるいはAl膜とTi膜を交互に積層してショットキー電極を形成し、高温で熱処理する。そして、ショットキー接合の周りにp形SiC層を形成してpn接合を設けることにより、ショットキー接合周縁における電界集中を防ぎ、高耐圧特性を安定化させる。
請求項（抜粋）：
n形炭化けい素半導体素体表面にアルミニウムおよびチタンよりなる電極層を被着したのち、これを600〜1200°Cの温度範囲で熱処理してショットキー電極を形成することを特徴とする炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法。
FI (2件)：
H01L 29/48 P
, H01L 29/48 M
