特許
J-GLOBAL ID:200903035785339723
熱電変換素子の製造方法及び熱電変換素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
武 顕次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-267207
公開番号(公開出願番号):特開2002-076451
出願日: 2000年09月04日
公開日(公表日): 2002年03月15日
要約:
【要約】【課題】 大幅な低コスト化が可能となる熱電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】 多数並設されたP型熱電半導体チップ1aならびにN型熱電半導体チップ1bと、それら半導体チップの吸熱側に配置された吸熱側電極と、前記半導体チップの放熱側に配置された放熱側電極とを備えた熱電変換素子の製造方法において、前記半導体チップの粉体4を、焼結用金型7に形成された、半導体チップの断面形状に等しい複数個の穴10に挿入し、この粉体を上部パンチ6及び下部パンチ5で密封すると共に焼結用金型を上部パンチ及び下部パンチと共に焼結用治具内に装填し、さらに焼結用治具の上下に発熱体13を配置し、上下からプレスラム14、15により両発熱体を加圧すると共に上下プレスラム間に電流を流すことにより、前記半導体チップを形成する。
請求項(抜粋):
多数並設されたP型半導体チップならびにN型半導体チップと、それら半導体チップの吸熱側に配置された吸熱側電極と、前記半導体チップの放熱側に配置された放熱側電極とを備えた熱電変換素子の製造方法において、前記半導体チップの大きさとほぼ等しい複数個の貫通穴を有する焼結用金型を下部パンチの上に配置して、各貫通穴の下側開口部を下部パンチで塞ぐ工程と、各貫通穴内に前記半導体チップの原料粉体を充填する工程と、前記焼結用金型の各貫通穴の上側開口部を上部パンチで塞ぐ工程と、この焼結用金型と上部パンチと下部パンチを焼結用治具内に装填する工程と、焼結用治具の上下に発熱体を配置し、上下プレスラムによりその発熱体ならびに焼結用治具を介して上部パンチと下部パンチを上下方向から加圧すると共に、前記上下の発熱体に電流を流すことにより、前記焼結用金型内で半導体チップの原料粉体を加圧焼結して所定の大きさの半導体チップを形成する工程とを含むことを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
IPC (7件):
H01L 35/34
, B22F 3/14 101
, B22F 7/08
, H01L 35/14
, H01L 35/16
, H01L 35/18
, H02N 11/00
FI (7件):
H01L 35/34
, B22F 3/14 101 A
, B22F 7/08 B
, H01L 35/14
, H01L 35/16
, H01L 35/18
, H02N 11/00 A
Fターム (9件):
4K018AA40
, 4K018EA03
, 4K018EA04
, 4K018EA22
, 4K018JA07
, 4K018JA16
, 4K018JA22
, 4K018JA27
, 4K018KA32
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