特許
J-GLOBAL ID：200903035786361382
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-026928
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223873
出願日： 1997年02月10日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 良好な特性を有する半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、半導体基板2の一面に光検出部8を有し、その光検出部8と反対側で半導体基板2の一部が削られることにより、薄型化された薄型化部分6が半導体基板2に設けられた半導体装置1において、半導体基板2の一面側に対向配置され、光検出部8に対向する位置に貫通孔19を有し、導電性バンプ11を介して光検出部8に電気的に接続された電極を有する支持基板12と、支持基板12と半導体基板2との間の空隙に充填される絶縁性の第1の樹脂20とを備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一面に光検出部を有し、その光検出部と反対側で前記半導体基板の一部が削られることにより、薄型化された薄型化部分が前記半導体基板に設けられた半導体装置において、前記半導体基板の前記一面側に対向配置され、前記光検出部に対向する位置に貫通孔を有し、導電性バンプを介して前記光検出部に電気的に接続された電極を有する支持基板と、前記支持基板と前記半導体基板との間の空隙に充填される絶縁性の第1の樹脂と、を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 D
, H01L 27/14 B
