特許
J-GLOBAL ID：200903035787784961
磁気ランダムアクセスメモリ、磁気ランダムアクセスメモリへのアクセス方法および磁気ランダムアクセスメモリの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-181414
公開番号（公開出願番号）：特開2001-357666
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 単一のトランジスタに複数の磁性記憶素子を積層することにより、必要な構成素子数が少ない、メモリの集積度を大幅に向上した磁気ランダムアクセスメモリ等を提供する。【解決手段】 各々が磁気的に情報を記憶する複数の磁性記憶素子と、複数の磁性記憶素子の各々に接続された複数のビット線と、複数の磁性記憶素子の各々の近傍に対応して配置され、その各々に磁界を印加して情報を書き込むために利用される複数の書き込み用ワード線と、第1の端子と第2の端子とを備えたスイッチであって、第1の端子は、第2の端子に電流を流すか否かを決定するために利用される単一の読み込み用ワード線に接続され、第2の端子は、複数の磁性記憶素子の各々に接続されたスイッチとを備えた、磁気ランダムアクセスメモリ等を提供する。
請求項（抜粋）：
各々が磁気的に情報を記憶する複数の磁性記憶素子と、前記複数の磁性記憶素子の各々に接続された複数のビット線と、前記複数の磁性記憶素子の各々の近傍に対応して配置され、その各々に磁界を印加して前記情報を書き込むために利用される複数の書き込み用ワード線と、第1の端子と第2の端子とを備えたスイッチであって、前記第1の端子は、前記第2の端子に電流を流すか否かを決定するために利用される単一の読み込み用ワード線に接続され、前記第2の端子は、前記複数の磁性記憶素子の各々に接続されたスイッチとを備えた、磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4件)：
G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C 11/14 Z
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA10
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083MA20
