特許
J-GLOBAL ID：200903035792918739
パタン形成材料,パタン形成方法および半導体素子製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292461
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134015
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】基板面から垂直に切り立った良好な断面形状を与える高感度,高解像度のポジ型パタン形成材料を得る。【解決手段】アルカリ可溶性樹脂と活性化学線照射により酸を発生する化合物とクレゾールノボラック樹脂またはポリビニルフェノールのフェノール性水酸基を、クレゾールノボラック樹脂では30%から60%、ポリビニルフェノールでは80%以上1-エトキシエトキシ基で置換した高分子化合物を酢酸セロソルブに溶解してパタン形成材料を得る。これを基板上に塗布し、電子線を照射した後ベークし、アルカリ水溶液で現像して電子線照射部を除去し、ポジ型パタンを得る。
請求項（抜粋）：
アルカリ可溶性樹脂及び活性化学線照射により酸を発生する化合物及びクレゾールノボラック樹脂またはポリビニルフェノールのフェノール性水酸基を化学式1で表される1-エトキシエトキシ基で置換した構造を持つ高分子化合物を含むポジ型化学増幅系レジスト組成物であって、前記クレゾールノボラック樹脂のフェノール性水酸基の30%から60%を1-エトキシエトキシ基で置換した構造を持つかあるいはポリビニルフェノールのフェノール性水酸基の80%以上を1-エトキシエトキシ基で置換した構造から成ることを特徴とするパタン形成材料。【化1】
IPC (4件)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/023 511
, H01L 21/027
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/023 511
, H01L 21/30 502 R
