特許

J-GLOBAL ID：200903035794422404

半導体レーザとその製造方法

発明者： 岡 聡彦 ,  山下 茂雄 ,  黒田 崇郎 ,  小野 佑一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029192
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226772
出願日： 1992年02月17日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【構成】p型InP基板7上に、InGaAsP活性層5とn型InPクラッド層4を結晶成長した後、InGaAsP活性層5の下面まで一致する深さまで、或いは下面より0.2μm 以内の深さまでエッチングを行いメサを形成し、半絶縁性InPブロック層6とn型InP埋込層3で埋め込む。【効果】メサの直列抵抗が低減されるため、レーザ発振時における電流ブロック層にかかる電圧も小さい。従って、電流ブロック層を流れるリーク電流が小さくなり、低閾値で、高効率の半導体レーザが得られる。

請求項（抜粋）：

p型半導体基板上に少なくとも活性層及び、n型クラッド層を積層して半導体多層膜を形成する工程と、前記半導体多層膜をエッチングし、メサを形成する工程と、前記メサを電流ブロック層で埋め込む工程を含むプロセスによって作製される半導体レーザにおいて、前記メサの底面が前記活性層の下面に一致していることを特徴とする半導体レーザ。