半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-182365
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028445
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】特性・信頼性の優れた半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】絶縁性基板上に薄膜トランジスタを形成し、その薄膜トランジスタ上に絶縁膜を形成し、その後アニール処理することによって、半導体装置を作製する。このとき、上記絶縁膜は窒化珪素膜であり、上記アニール処理は熱アニールまたはレーザーアニールである。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタ上に絶縁膜を形成し、その後アニール処理することを特徴とする、半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 21/318 , H01L 21/322 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 619 A , H01L 21/20 , H01L 21/318 B , H01L 21/322 X , H01L 21/322 Q , H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 627 F

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭64-023575
特開昭64-023575
特開昭64-032678

全件表示

前のページに戻る