特許

J-GLOBAL ID：200903035801873581

フェライト単結晶製造用るつぼ及びフェライト単結晶の製造方法

発明者： 長谷川 洋 ,  千葉 利美 ,  松下 桂一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  株式会社フルヤ金属
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-301316
公開番号（公開出願番号）：特開2001-199797
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：

【要約】【課題】 Pt混入量が少ないフェライト単結晶を製造する。【解決手段】 PtにZrO2を分散させた強化白金によってフェライト単結晶製造用るつぼ1における上るつぼ2を形成する。このようにして形成されたフェライト単結晶製造用るつぼ1を使用して、フェライト単結晶を製造する。

請求項（抜粋）：

Pt中に粒径が0.1μm以下であるZrO2を均一に分散させてなる強化白金により形成されていることを特徴とするフェライト単結晶製造用るつぼ。

IPC (2件)：

C30B 29/22 ,  C30B 11/00

FI (2件)：

C30B 29/22 F ,  C30B 11/00 C

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BC05 ,  4G077CD02 ,  4G077EG01 ,  4G077EG02 ,  4G077MA01 ,  4G077MA02