特許

J-GLOBAL ID：200903035803776320

ビームエッジぼけ量測定方法及びリフォーカス量決定方法、これらの方法に用いられるステンシルマスク並びに荷電粒子ビーム露光方法及び装置

発明者： 高橋 公俊
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 松本 眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-350873
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186130
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】より適正なリフォーカス量を決定する。【解決手段】 ステンシルマスク40Aには、荷電粒子ビームのエッジぼけ量δaを実質的に測定するためのライン形アパーチャ41と、δaのクーロン相互作用以外の成分が無視できる程度にアパーチャ41と離間して形成され、アパーチャ41と同時に荷電粒子ビームが通されるアパーチャ42とが、同時露光するためのブロックパターンとして形成されている。ステンシルマスク40A及び40Bを用い、その各々についてアパーチャ41を通った荷電粒子ビームのエッジぼけ量を実質的に測定し、エッジぼけ量が最小になるように、荷電粒子ビームに対するリフォーカス量を決定し、ステンシルマスク40A及び40Bの各々の開口面積合計に対し決定されたリフォーカス量に基づいて、ステンシルマスク上の任意のブロックパターンの開口面積に対するリフォーカス量の関係を直線近似する。

請求項（抜粋）：

荷電粒子ビームのエッジぼけ量を実質的に測定するためのライン形第1開口部と、該エッジぼけ量のクーロン相互作用以外の成分が無視できる程度に該第1開口部と離間して形成され、該第1開口部と同時に該荷電粒子ビームが通される第2開口部とが、同時露光するためのブロックパターンとして形成されていることを特徴とするステンシルマスク。

IPC (6件)：

H01L 21/027 ,  G01B 11/00 ,  G01T 1/29 ,  G03F 7/20 504 ,  G21K 5/04 ,  H01J 37/04

FI (7件)：

H01L 21/30 541 F ,  G01B 11/00 H ,  G01T 1/29 A ,  G03F 7/20 504 ,  G21K 5/04 C ,  H01J 37/04 A ,  H01L 21/30 541 R