特許
J-GLOBAL ID：200903035813354423
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-015055
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228989
出願日： 2003年01月23日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】基地局に用いる増幅用の半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】携帯電話等のような移動体通信機器の基地局に用いる増幅器AMP1のパッケージに、増幅用の半導体チップ5と伝送線路基板6とを備え、前記増幅用の半導体チップ5の出力に、伝送線路基板6の空き領域に形成されたスタブ6bをボンディングワイヤ7cにより接続する。このスタブ6bとボンディングワイヤ7cとは、増幅用の半導体チップ5の出力信号の基本周波数の2倍で共振する共振回路を形成するように設計されている。これにより、増幅用の半導体チップ5から出力された信号の2倍波の信号を抑えることができるので、増幅器AMP1の伝送効率の向上と伝送歪みの低減とを実現することができる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
入力部および出力部を有する半導体能動素子と、
伝送線路基板と、
前記半導体能動素子の前記出力部に第1導体線を介して電気的に接続された、前記伝送線路基板上の伝送線路と、
前記半導体能動素子の前記出力部に第2導体線を介して電気的に接続された、前記伝送線路基板上のスタブとを有し、
前記伝送線路は、前記半導体能動素子に近い側の幅が遠い側よりも広く形成され、
前記第2導体線とスタブとは、前記半導体能動素子の出力信号の基本周波数の2倍で共振する回路を形成することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (25件)：
5J067AA04
, 5J067AA41
, 5J067CA21
, 5J067CA36
, 5J067FA16
, 5J067HA10
, 5J067HA29
, 5J067HA33
, 5J067KA13
, 5J067KA29
, 5J067KA53
, 5J067KA55
, 5J067KA66
, 5J067KA68
, 5J067KS11
, 5J067KS21
, 5J067LS01
, 5J067QA02
, 5J067QA04
, 5J067QA05
, 5J067QS03
, 5J067QS11
, 5J067SA13
, 5J067TA02
, 5J067TA03
