特許
J-GLOBAL ID：200903035818312737
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049456
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263678
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 短チャネル効果が十分に抑止された半導体装置を提供する。【構成】 p型シリコン基板101の表面上にゲート絶縁膜103を介して形成されたゲート電極104と、窒素成分を必須成分として含むシリコン材料である窒化シリコンから成りゲート電極104の側面に形成された側壁106と、側壁106の外側のp型シリコン基板101表面上に形成され不純物が注入された後に熱処理されるシリコン層107とを含んでいる。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、絶縁材料から成り前記ゲート電極の側面に形成された側壁と、前記側壁の外側の前記半導体基板の表面上に形成された反対導電型の半導体層とを含む半導体装置において、前記絶縁材料は、窒素成分を必須成分として含むシリコン材料であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/265
H01L 29/78 301 L
, H01L 21/265 L
, H01L 29/78 301 S
