半導体気相成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-149250
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007951
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】半導体選択気相成長において、基板上の成長速度を基板の保護膜上の成長速度よりはるかに大きくして、かつ、成長層のアンドープ残留キャリア濃度を低くできる成長方法の提供。【構成】半導体基板4表面の所定の部分を保護膜5により被覆し、保護膜5の表面をさらに高融点金属6で被覆する。この高融点金属6を誘導加熱コイル8で断続的に加熱しながら気相成長を行う。これにより基板表面と保護膜表面との温度をそれぞれ独立に制御できるので、保護膜5上には殆ど成長せず半導体基板上に良好な特性の成長層を所望の成長速度で形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面の一部を保護膜により被覆し、半導体表面が露出した領域に選択的に半導体薄膜を気相成長法により成長させる場合において、前記保護膜表面の所望の領域を高融点金属で被覆し、かつこの高融点金属を電磁誘導により加熱することを特徴とする半導体気相成長方法。

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