特許

J-GLOBAL ID：200903035826552704

処理装置及び処理方法

発明者： 森本 保 ,  早川 崇
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-036436
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230239
出願日： 2000年02月15日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 複数枚の被処理基板を連続的に処理してもチャージアップダメージが発現せず、被処理基板の全体にわたって均一な処理をすることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 サセプタ30上のウエハW外周縁を包囲するように配設される保護リング31を、サセプタ30に対して昇降可能な形状にし、サセプタ30上面の外周側の保護リング31を載置する部分にステッピングモータ51で高精度に調節できるエレベータ50を埋設する。処理チャンバ2の保護リング31真上にあたる部分に配設したレーザー検出器55で保護リング31上面の高さを検出し、サセプタ30上面との高さの差dが所定の値を超えたらエレベータ50を駆動して保護リング31上面とサセプタ30上面とが同じ高さになるように高さ調節する。

請求項（抜粋）：

略真空下で被処理基体に処理を施す処理チャンバと、前記被処理基体に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記被処理基体を載置するサセプタと、前記サセプタ上に載置された被処理基体の外周縁部を包囲するように昇降可能に支持された保護リングと、前記保護リングの上面の高さを検出する検出手段と、前記検出した高さに基づいて、前記保護リングの高さを調節する高さ調節手段と、を具備する処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 3/00 ,  B01J 19/00 ,  B01J 19/12

FI (4件)：

B01J 3/00 L ,  B01J 19/00 D ,  B01J 19/12 G ,  H01L 21/302 E

Fターム (14件)：

4G075AA22 ,  4G075AA24 ,  4G075BC06 ,  4G075BD03 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075DA01 ,  4G075EA01 ,  4G075EB01 ,  4G075ED13 ,  5F004AA01 ,  5F004BB23 ,  5F004CA05 ,  5F004CB09