ヒートシンクサブマウント及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-391480
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198024
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】溶着金属膜の上に光半導体素子を実装する際において光半導体素子の滑り易さや光半導体素子の実装位置の認識しづらさを解消したヒートシンクサブマウントを提供することにある。【解決手段】熱伝導性電気絶縁材料1よりなる基体にメタライズ層2を介して、溶着金属膜3を形成してなるヒートシンクサブマウントにおいて、該溶着金属膜3の表面粗さがRa0.05〜1.2μmに調整されたことを特徴とするヒートシンクサブマウント。

請求項（抜粋）：

熱伝導性電気絶縁材料よりなる基体表面にメタライズ膜を介して、溶着金属膜が形成されたヒートシンクサブマウントにおいて、該溶着金属膜の表面粗さがRa0.05μm以上であることを特徴とするヒートシンクサブマウント。

IPC (2件)：

H01S 5/022 , H01L 23/373

FI (2件)：

H01S 5/022 , H01L 23/36 M

Fターム (8件)：

5F036AA01 , 5F036BA04 , 5F036BB01 , 5F036BC06 , 5F036BD11 , 5F073FA15 , 5F073FA22 , 5F073FA30

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-109790
特開昭62-213224
チップ状電子部品の実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-156133 出願人：日本アントム工業株式会社

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