特許
J-GLOBAL ID:200903035827611348
重合性アダマンタン誘導体、高分子化合物、フォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
後藤 幸久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-272029
公開番号(公開出願番号):特開2005-029520
出願日: 2003年07月08日
公開日(公表日): 2005年02月03日
要約:
【課題】 フォトレジスト用のポリマーに基板密着性と適度な親水性、及び透明性を付与できる新規な重合性単量体を提供する。【解決手段】 重合性アダマンタン誘導体は、下記式(1a)又は(1b)【化1】(式中、R1、R2は、それぞれ、水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフルオロアルキル基を示し、R3はフッ素原子又はフルオロアルキル基を示す。式中の環は置換基を有していてもよい)で表される。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記式(1a)又は(1b)
IPC (6件):
C07C69/54
, C07C67/08
, C08F16/26
, C08F20/28
, G03F7/039
, H01L21/027
FI (6件):
C07C69/54 B
, C07C67/08
, C08F16/26
, C08F20/28
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
Fターム (48件):
2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB41
, 4H006AA01
, 4H006AA02
, 4H006AA03
, 4H006AB92
, 4H006AC48
, 4H006BJ30
, 4H006BM10
, 4H006BM71
, 4H006BN20
, 4H006KA06
, 4H006KC14
, 4H006KE20
, 4H006KF10
, 4J100AE09P
, 4J100AE09Q
, 4J100AE38Q
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL24Q
, 4J100AL26Q
, 4J100BA03P
, 4J100BA03Q
, 4J100BA11Q
, 4J100BA20Q
, 4J100BB18Q
, 4J100BC03Q
, 4J100BC04Q
, 4J100BC08Q
, 4J100BC09P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC12Q
, 4J100BC52Q
, 4J100BC53Q
, 4J100CA01
, 4J100CA03
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (9件)
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ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-188853
出願人:日本電気株式会社
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写真焼付装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-228092
出願人:株式会社コパル
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化学増幅型レジスト組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-332641
出願人:住友化学工業株式会社
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高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-266869
出願人:信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
-
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-383217
出願人:信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
-
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-346891
出願人:信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
-
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-098228
出願人:信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
-
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-050829
出願人:信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
-
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-190647
出願人:信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
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審査官引用 (6件)
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