特許
J-GLOBAL ID:200903035827732501

履歴センサ、半導体集積回路及び実装体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-125805
公開番号(公開出願番号):特開2005-308546
出願日: 2004年04月21日
公開日(公表日): 2005年11月04日
要約:
【課題】 システムが大規模にならず、ユビキタス性に優れ、物品の搬送、保存等における管理に好適な、履歴センサ、半導体集積回路、実装体を提供する。【解決手段】 一定の減衰時定数τsで減衰する電荷の減衰特性により計時する計時部1と、減衰特性中の特定の時刻における電荷情報を記憶する電荷記憶部2と、一定レベル以上の温度若しくは振動で過渡的に導通し、再び遮断状態となり、導通により、計時部1から電荷記憶部2に電荷を分配するするスイッチSW1とを備え、電荷情報と、減衰時定数τsとにより、過渡的な導通をした時刻t0を同定する。ここで、計時部1は、計時部キャパシタ(第1容量)C1と、この計時部キャパシタ(第1容量)に並列接続された基準抵抗Rmとを備える。一方、電荷記憶部2は、記憶部キャパシタ(第2容量)C2を備える。図1【選択図】 図1
請求項(抜粋):
一定の減衰時定数で減衰する電荷の減衰特性により計時する計時部と、 一定レベル以上の温度若しくは振動で過渡的に導通し、再び遮断状態となるスイッチと、 前記スイッチの導通により、前記計時部から電荷が分配される電荷記憶部 とを備え、前記電荷の減衰特性により、前記過渡的な導通をした時刻を同定することを特徴とする履歴センサ。
IPC (4件):
G01H11/06 ,  G04F10/10 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04
FI (3件):
G01H11/06 ,  G04F10/10 ,  H01L27/04 F
Fターム (19件):
2F085CC10 ,  2F085EE00 ,  2F085FF14 ,  2F085GG14 ,  2G064AA05 ,  2G064AA11 ,  2G064AB02 ,  2G064AB23 ,  2G064BD05 ,  2G064DD18 ,  5F038AV04 ,  5F038AV13 ,  5F038AZ07 ,  5F038AZ08 ,  5F038AZ09 ,  5F038CA02 ,  5F038CA08 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 振動計
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-246650   出願人:株式会社アカシ
審査官引用 (8件)
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