特許

J-GLOBAL ID：200903035829424294

レーザマーキングウェーハ

発明者： 橋本 靖行
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-151082
公開番号（公開出願番号）：特開2002-346772
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】【課題】 レーザマークに起因したウェーハ平坦度の低下を解消するレーザマーキングウェーハを提供する。【解決手段】 シリコンウェーハの外周面取り部Waに、ハードレーザマークaを刻印する。この際、ハードレーザマークaは、その形成部の周縁に比較的高い環状の隆起部が発生する。しかしながら、後の研磨工程で研磨されるのは、シリコンウェーハの表面であって、面取りされたウェーハ外周面取り部Waではない。したがって、研磨時、この隆起部が研磨されるおそれはほとんどない。結果、従来ではウェーハ表面の隆起部を研磨して発生していた、うねりによるレーザマーキングウェーハWの平坦度の低下を解消することができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを枚葉識別管理または表裏識別管理するためのレーザマークが、露出面に刻印されたレーザマーキングウェーハにおいて、前記レーザマークが、半導体ウェーハの外周面取り部に刻印されたレーザマーキングウェーハ。

IPC (3件)：

B23K 26/00 ,  H01L 21/66 ,  B23K101:40

FI (4件)：

B23K 26/00 B ,  H01L 21/66 A ,  H01L 21/66 Z ,  B23K101:40

Fターム (6件)：

4E068AB01 ,  4E068DA10 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA70 ,  4M106DA05