特許

J-GLOBAL ID：200903035832576224

薄膜トランジスタアレイ素子および液晶表示装置

発明者： 井上 眞澄 ,  田窪 米治 ,  宇野 光宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-082765
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313398
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】長時間駆動させることにより発生するTFTのオフ特性の劣化を低減することができ、高信頼性で優れた性能を有する薄膜トランジスタアレイ素子を提供する。【解決手段】マトリクス状に配置された信号線と走査線を有する絶縁基板と、絶縁基板上に形成された画素電極と、画素電極と前記信号線および前記走査線との間に設けられた薄膜トランジスタを備え、薄膜トランジスタのソース電極7aから半導体層3を介してドレイン電極7bへ流れる電流の経路における半導体層3の幅W1を、ソース電極7aの突出部の薄膜トランジスタ側端部の幅W2およびドレイン電極7bの薄膜トランジスタ側端部の幅W3に比べて狭くしている。

請求項（抜粋）：

一主面上にマトリクス状に配置された信号線および走査線を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上に前記信号線および走査線の各交差点に対応して形成された画素電極と、前記絶縁基板の一主面と異なるもう一方の主面からゲート電極をマスクとして露光を行うことで自己整合的に形成された、チャンネル部を保護する保護絶縁膜を有し、前記画素電極と前記信号線および前記走査線との間に設けられた逆スタガ構造の薄膜トランジスタと、を備えた薄膜トランジスタアレイ素子であって、前記薄膜トランジスタのソース電極は前記信号線より前記薄膜トランジスタに向かって突出する第1突出部を有し、前記薄膜トランジスタのソース電極から半導体層を介してドレイン電極へ流れる電流の経路における前記半導体層の幅が、前記ソース電極の前記第1突出部の前記薄膜トランジスタ側端部の幅および前記ドレイン電極の前記薄膜トランジスタ側端部の幅の少なくともいずれか一方に比べて狭いことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ素子。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368

FI (2件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 616 T

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-158875
  
• 特開平4-088641
  
• 特開平2-196222
  
• 特開昭62-024672